图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:2000 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:2000 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:14321 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 BZX85C3V3 - C56 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压 - 齐纳（NOM）（VZ） | 47V |
| 电压 - 正向（Vf）（最大）@ | 1.2V @ 200mA |
| 电流 - 反向漏VR | 500nA @ 33V |
| 公差 | ±6% |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 阻抗（最大）（ZZT） | 90 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 包装材料 | Bulk |
| 操作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 包装 | 2DO-41 |
| 配置 | Single |
| 标称齐纳电压 | 47 V |
| 齐纳电压容差 | 5 % |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 0.5 uA |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | DO-41 |
| 标准包装名称 | DO-204-AL |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 最大齐纳阻抗 | 90 |
| 最大反向漏泄电流 | 0.5 |
| Package Diameter | 2.72(Max) |
| ESD保护 | No |
| 封装 | Bulk |
| 标称齐纳电压 | 47 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| PCB | 2 |
| 包装长度 | 5.21(Max) |
| 最低工作温度 | -65 |
| 测试电流 | 4 |
| 引脚数 | 2 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 500nA @ 33V |
| 电压 - 齐纳（额定值）（Vz ） | 47V |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 1.2V @ 200mA |
| 供应商设备封装 | DO-41 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 阻抗（最大值）（Zzt ） | 90 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | Zener Diodes |
| 齐纳电流 | 4 mA |
| 齐纳电压 | 47 V |
| 最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
| 系列 | BZX85C47 |
| 单位重量 | 0.008642 oz |
| 电压容差 | 5 % |
| 功率耗散 | 1 W |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | DO-41 |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 包装类型 | DO-41 |
| 冯页次 | 0.0005 mA |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 拐点阻抗 | 90Ohm |
| 齐纳测试电流 | 4mA |
| 直径 | 2.72 mm |
| 产品 | Zener Diode |
| Ir - Reverse Current | 500 nA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Zz - Zener Impedance | 90 Ohms |
| 端接类型 | Axial |
| 长度 | 5.2 mm |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Vz - Zener Voltage | 47 V |
| 测试电流 | 4 mA |
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